100.000 wafer/tháng: Micron có thể mở rộng năng lực HBM4

Micron Technology (MU) đang tăng tốc sản xuất bộ nhớ băng thông rộng (HBM) phục vụ trí tuệ nhân tạo (AI), khiến cuộc đua HBM giữa hãng này với Samsung Electronics và SK Hynix của Hàn Quốc nóng lên trở lại. Điểm mấu chốt không nằm ở quy mô mở rộng nhà máy mà ở năng lực sản xuất hàng loạt HBM4 và tốc độ được khách hàng xác nhận đạt chuẩn.

Trong thông báo ngày 16 tháng 3 năm 2026, Micron cho biết dòng HBM4 36GB 12H đã bước vào giai đoạn sản xuất khối lượng lớn. Sản phẩm này nhắm tới nền tảng thế hệ mới Vera Rubin của Nvidia (NVDA), với tốc độ chân vượt 11,0Gbps và băng thông vượt 2,8TB/s theo công bố của Micron.

Tại báo cáo kết quả kinh doanh quý 3 tài khóa 2026 công bố ngày 24 tháng 6, Micron nhắc lại rằng HBM4 đã bước vào giai đoạn xuất xưởng khối lượng lớn và mẫu thử phù hợp đã được gửi tới nhiều khách hàng. Công ty cho biết thêm dòng HBM4E dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2027.

Ngày 4, tờ Electronic Times (전자신문) dẫn nguồn tin trong ngành cho biết Micron có thể nâng năng lực sản xuất HBM thêm tối đa 60.000 wafer mỗi tháng trước cuối năm nay. Nếu đúng như vậy, tổng năng lực HBM của hãng có thể đạt khoảng 100.000 wafer/tháng, còn tỷ trọng HBM4 có thể tăng từ mức 20-30% hồi đầu năm lên 50% vào cuối năm.

Tuy nhiên, con số 100.000 wafer/tháng và tỷ trọng HBM4 50% chỉ là thông tin từ nguồn tin ngành, chưa phải công bố chính thức của Micron. Trong tài liệu chính thức, Micron mới chỉ xác nhận việc sản xuất khối lượng lớn HBM4 và kế hoạch sản xuất hàng loạt HBM4E vào năm 2027.

Với độc giả quan tâm thị trường Hàn Quốc, diễn biến này không chỉ là chuyện mở rộng của một hãng bộ nhớ Mỹ mà còn liên quan trực tiếp tới khả năng phòng thủ vị thế HBM của Samsung Electronics và SK Hynix. Cùng ngày, TrendForce dựa trên báo cáo của Electronic Times ước tính năng lực sản xuất HBM của Samsung Electronics và SK Hynix lần lượt vào khoảng 150.000-200.000 wafer/tháng.

Ngay cả khi Micron đạt mức 100.000 wafer/tháng, khoảng cách quy mô với hai hãng Hàn Quốc vẫn còn. Dù vậy, ở thế hệ HBM4, năng lực sản xuất không phải yếu tố duy nhất quyết định sức cạnh tranh mà tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn, công nghệ đóng gói và tiến độ xác nhận từ khách hàng cũng đóng vai trò quan trọng.

Samsung Electronics cho biết đã bắt đầu xuất xưởng HBM4 sản xuất hàng loạt từ tháng 2 năm 2026. Đến tháng 5, hãng công bố đã cung cấp mẫu thử HBM4E 12 lớp cho các khách hàng toàn cầu.

Trong báo cáo kết quả kinh doanh quý 2 năm 2026, SK Hynix cho biết đã bắt đầu xuất xưởng HBM4 với khối lượng lớn và dự kiến mở rộng sản xuất trong nửa cuối năm. TokenPost từng đưa tin về việc Micron giải thích rằng nhu cầu bộ nhớ AI không chỉ giới hạn ở trung tâm dữ liệu.

HBM là loại bộ nhớ xếp chồng nhiều lớp DRAM theo chiều dọc nhằm tăng tốc độ xử lý dữ liệu và hiệu quả năng lượng. Hiệu năng của chip tăng tốc AI không chỉ phụ thuộc vào chip xử lý mà còn vào băng thông bộ nhớ và chất lượng đóng gói.

Chính vì vậy, cuộc đua HBM4 không đơn thuần là cuộc đua về sản lượng xuất xưởng. Nó đòi hỏi đồng thời thiết kế sản phẩm phù hợp với máy chủ AI hiệu năng cao, quy trình xác nhận riêng cho từng khách hàng, độ ổn định trong đóng gói và năng lực cung ứng dài hạn.

Ngày 9 tháng 7, Micron công bố nâng kế hoạch đầu tư tại Mỹ lên hơn 250 tỷ USD tính đến năm 2035, đồng thời tiến hành đổ bê tông đầu tiên cho nhà máy mới tại New York.

Việc mở rộng đầu tư tại Mỹ được Micron công bố trong cùng thông báo ngày 9 tháng 7, cho thấy xu hướng củng cố năng lực sản xuất dài hạn song song với việc mở rộng HBM.

Hiệu quả từ việc mở rộng HBM4 của Micron sẽ phản ánh vào kết quả kinh doanh và thị phần ra sao vẫn cần chờ các báo cáo tài chính chính thức cũng như tình hình khách hàng áp dụng sản phẩm trong thời gian tới. Mốc thời gian sản xuất hàng loạt HBM4E mà công ty công bố là năm 2027.