4 tỷ USD: SK hynix khởi công nhà máy HBM tại Indiana, mục tiêu vận hành cuối 2028

SK hynix($SKHY) đã khởi công xây dựng cơ sở hậu kỳ (back-end) và nghiên cứu phát triển bộ nhớ băng thông cao (HBM) tại thành phố West Lafayette, bang Indiana, Mỹ. Cơ sở này cần khoản đầu tư hơn 4 tỷ USD (khoảng 5.520 tỷ won) và đặt mục tiêu vận hành từ nửa cuối năm 2028.

Theo SK hynix, công ty đã tổ chức lễ khởi công nhà máy Indiana tại Purdue Research Park vào ngày 27 (giờ địa phương). Reuters đưa tin cùng ngày rằng đây là cơ sở đóng gói chip AI và nghiên cứu phát triển, dự kiến phòng sạch (cleanroom) sẽ bắt đầu hoạt động từ nửa cuối năm 2028.

Dự án này lần đầu được công bố vào tháng 4/2024. Khi đó SK hynix cho biết sẽ đầu tư 3,87 tỷ USD (khoảng 5.340 tỷ won) vào West Lafayette để xây dựng cơ sở đóng gói tiên tiến cho HBM thế hệ mới cùng trung tâm nghiên cứu phát triển.

Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ Quốc gia Mỹ (NIST) mô tả dự án là dây chuyền hậu kỳ HBM kết hợp cơ sở thử nghiệm nghiên cứu đóng gói tiên tiến. Bộ Thương mại Mỹ hồi tháng 12/2024 đã phê duyệt khoản trợ cấp trực tiếp tối đa 458 triệu USD (khoảng 632 tỷ won) và khoản vay tối đa 500 triệu USD (khoảng 690 tỷ won) cho dự án.

Mốc thời gian chính thức được xác nhận là nửa cuối năm 2028. NIST ghi nhận thời điểm bắt đầu sản xuất hàng loạt tại cơ sở này là nửa cuối năm 2028, còn trang dự án West Lafayette của SK hynix cũng thể hiện giai đoạn xây dựng vào nửa đầu năm 2026 và vận hành vào nửa cuối năm 2028.

Nhà máy Indiana là cứ điểm hậu kỳ và nghiên cứu phát triển HBM đầu tiên mà SK hynix xây dựng tại Mỹ.

HBM là bộ nhớ hiệu năng cao, xếp chồng nhiều lớp DRAM theo chiều dọc để tăng tốc độ xử lý dữ liệu. Loại bộ nhớ này thường được kết hợp với bộ xử lý đồ họa (GPU) trong các máy chủ phục vụ huấn luyện và suy luận AI. Trong chuỗi cung ứng chip AI, hiệu năng bộ nhớ và năng lực đóng gói được xem là hai yếu tố cạnh tranh song song.

Trục công nghệ trung tâm của dự án là HBM thế hệ mới. SK hynix cho biết đã cung cấp mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng lớn vào ngày 18/6/2026.

Theo công ty, HBM4E đạt tốc độ tối đa 16 Gbps trên mỗi chân, hiệu suất năng lượng cải thiện hơn 20% so với thế hệ trước. Việc gửi mẫu cho khách hàng là bước chuyển sang giai đoạn kiểm định sản phẩm và chuẩn bị sản xuất hàng loạt.

Tuy nhiên, mốc sản xuất hàng loạt HBM4E tại Indiana vào nửa cuối năm 2029 mà một số hãng tin nước ngoài đưa ra không được xác nhận theo cùng cách trong các thông báo chính thức. Mốc thời gian được xác nhận trong tài liệu của công ty và chính phủ Mỹ là nửa cuối năm 2028, cho thời điểm vận hành hoặc bắt đầu sản xuất hàng loạt tại cơ sở Indiana.

Chính phủ Mỹ xếp dự án này vào nhóm mở rộng chuỗi cung ứng chip AI trong nước. NIST nhận định cơ sở này sẽ hỗ trợ khoảng 1.000 việc làm mới tại nhà máy cùng hàng trăm việc làm trong quá trình xây dựng.

Trang dự án riêng của SK hynix đưa ra con số tạo ra 7.000 việc làm trực tiếp và gián tiếp. Các cơ sở sản xuất bán dẫn thường kéo theo nhu cầu về thiết bị, xây dựng, hậu cần và nhà cung cấp phụ trợ, chứ không chỉ nhân lực sản xuất.

Biến số ở địa phương vẫn còn. Báo địa phương Based in Lafayette đưa tin rằng Tòa án lưu động hạt Tippecanoe, bang Indiana, đã ban hành lệnh bảo vệ đối với các tài liệu liên quan đến bí mật kinh doanh, thông tin tài chính và giao dịch bất động sản trong vụ kiện liên quan đến thay đổi phân vùng (rezoning) cho dự án SK hynix trị giá 3,87 tỷ USD.

Phạm vi cấp phép và công khai thông tin tại địa phương là vấn đề sẽ tiếp tục được xử lý độc lập với tiến độ nhà máy. Thành phố West Lafayette cho biết người dân quan tâm nhiều đến dự án nên đã vận hành một trang minh bạch thông tin riêng cho dự án SK hynix.

Với việc khởi công nhà máy Indiana, chiến lược bộ nhớ AI của SK hynix chuyển sang giai đoạn vừa phát triển sản phẩm vừa xây dựng cứ điểm hậu kỳ tại Mỹ. Theo lịch trình chính thức, cơ sở này dự kiến bắt đầu vận hành từ nửa cuối năm 2028.