CXMT (Trung Quốc) đạt tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn HBM3 chỉ 25%, lộ khoảng cách công nghệ TSV với SK Hynix

Tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn trong giai đoạn thử nghiệm sản xuất chip nhớ băng thông cao HBM3 của Changxin Memory Technologies (CXMT) – nhà sản xuất DRAM lớn nhất Trung Quốc – được cho là chỉ dừng ở mức 25%. Con số này thấp hơn nhiều so với tỷ lệ trên 90% mà SK Hynix (000660) đang đạt được, cho thấy khoảng cách công nghệ giữa hai bên vẫn còn khá lớn.

Theo Chosun Biz đưa tin ngày 9 (giờ địa phương), tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn của HBM3 xếp chồng 8 lớp do CXMT sản xuất đạt khoảng 30% ở công đoạn tiền xử lý (front-end), nhưng giảm còn khoảng 25% khi tính theo sản phẩm đạt chuẩn cuối cùng sau công đoạn hậu xử lý (back-end). Chosun Biz cho biết CXMT đang cung cấp một lượng nhỏ mẫu HBM sản xuất được cho các công ty Trung Quốc như T-Head của Alibaba (BABA) và Cambricon, đồng thời tiếp tục cải thiện tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn.

Chosun Biz giải thích rằng die DRAM dùng cho HBM có kích thước lớn hơn sản phẩm thông thường và yêu cầu thông số điện khắt khe hơn, trong khi lỗi thường phát sinh ở công đoạn xuyên lỗ silicon (TSV) cũng như ở khâu xếp chồng, hàn nối các lớp. Công ty phân tích chất bán dẫn Nomad Semi nhận định số lượng TSV trên mỗi die của CXMT vào khoảng 3.000, thấp hơn con số hơn 5.000 của HBM2 do Samsung Electronics (005930) sản xuất và hơn 8.000 của HBM3 do SK Hynix sản xuất.

Bình luận, khoảng cách về mật độ TSV được xem là một trong những rào cản kỹ thuật cốt lõi khiến CXMT khó nhanh chóng thu hẹp chênh lệch tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn với các nhà sản xuất HBM hàng đầu, dù công ty này đã bắt đầu cung cấp mẫu thử cho một số khách hàng nội địa.