Báo cáo: Rapidus chưa tạo được ô SRAM hoạt động, mục tiêu chip 2 nm có thể chậm

Mục tiêu đưa chip logic 2 nm của Rapidus vào sản xuất hàng loạt đến tháng 3/2028 có thể gặp trở ngại, theo một bài báo cho biết công ty chưa chế tạo được ô nhớ SRAM hoạt động.

Bloomberg đưa tin ngày 10, dẫn lời những người nắm thông tin giấu tên, rằng Rapidus chưa tạo ra được ô SRAM hoạt động. Các nguồn tin cho biết công ty chưa đạt được công nghệ sản xuất SRAM ổn định cần thiết cho sản xuất hàng loạt vào mùa hè, khiến lịch trình chậm ít nhất vài tháng so với kế hoạch. Việc kiểm soát bụi và các hạt siêu nhỏ trong phòng sạch của nhà máy cũng là một thách thức.

Một chip logic 2 nm chứa hàng trăm triệu ô SRAM. Cấu trúc transistor trong mỗi ô phải được tái tạo với độ chính xác ở cấp độ nguyên tử để chip hoạt động ổn định và lưu trữ dữ liệu. Xác nhận hoạt động điện của transistor là một giai đoạn phát triển khác với việc hiện thực hóa ổn định số lượng lớn ô SRAM.

Trang lịch sử công ty Rapidus ghi nhận dây chuyền sản xuất thử tại nhà máy IIM-1 ở Chitose, Hokkaido, đi vào hoạt động vào tháng 4/2025. Đến tháng 7 cùng năm, công ty xác nhận các đặc tính điện của nguyên mẫu transistor GAA 2 nm. Ngày 5 tháng 10, Rapidus công bố mạng lưới hợp tác hỗ trợ các thiết kế ban đầu của 17 công ty thiết kế và khách hàng. TokenPost từng đưa tin về mạng lưới hỗ trợ thiết kế của Rapidus; việc công bố mạng lưới là một giai đoạn riêng, không đồng nghĩa với việc đã hiện thực hóa ô SRAM.

Người phát ngôn Rapidus cho biết: “Chúng tôi tiếp tục nỗ lực hết sức để bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm tài chính 2027”. Tuyên bố này cho thấy công ty vẫn theo đuổi mốc thời gian đã đặt ra. Rapidus cho biết các chi tiết phát triển kỹ thuật là thông tin mật, đồng thời nói rằng các chuyên gia bên ngoài do cơ quan chính phủ ủy nhiệm đánh giá vào tháng 9 rằng hoạt động phát triển vẫn đang tiếp diễn.