Samsung Electronics(005930) được cho là đang cân nhắc mở rộng công suất sản xuất đúc bán dẫn để đáp ứng nhu cầu khuôn đế logic 4nm dành cho HBM4.
Maeil Business Newspaper đưa tin ngày 21 rằng Samsung Electronics đang xem xét mở rộng quy trình 4nm khi nhu cầu HBM4 gia tăng. HBM4 của Samsung Electronics gồm DRAM 1c thế hệ thứ 6 thuộc cấp 10nm và khuôn đế logic được sản xuất trên quy trình 4nm.
Khuôn đế của HBM4 là lớp kết nối hỗ trợ trao đổi dữ liệu giữa GPU và bộ tăng tốc AI. Dây chuyền sản xuất 4nm của Samsung Electronics hiện có tỷ lệ vận hành cao, trong đó hơn một nửa công suất được cho là phân bổ cho khuôn đế HBM4.
Samsung Electronics cũng đang xem xét áp dụng khuôn đế 4nm cho HBM4E và quy trình 2nm với cấu trúc GAA cho HBM5.
Bình luận 0