Samsung Electronics (005930) đang hợp tác với ASML để phát triển thế hệ photomask (mặt nạ quang) 12 inch mới, đồng thời đặt mục tiêu đưa công nghệ EUV High-NA vào sản xuất DRAM tiên tiến trước năm 2028.
Samsung Electronics cho biết ngày 8 rằng công ty đã tham gia liên minh mặt nạ quang quy mô lớn do ASML dẫn dắt. Liên minh này sẽ triển khai nghiên cứu chung và xây dựng tiêu chuẩn nhằm chuyển đổi từ photomask 6 inch hiện tại sang loại 12 inch.
Theo Samsung Electronics, photomask 12 inch giúp nâng cao năng suất của thiết bị EUV High-NA, đồng thời giảm bớt hạn chế của công đoạn khắc mạch theo từng phần rồi ghép nối lại, qua đó giúp hạ chi phí sản xuất chip. Samsung Electronics cho biết công ty có kế hoạch đưa EUV High-NA vào quy trình sản xuất DRAM tiên tiến trước năm 2028, hướng tới đơn giản hóa công đoạn và nâng cao năng suất.
Bình luận 0