15.000 tấm wafer 4nm/tháng của Samsung được dành cho base die HBM4

Samsung Electronics (005930) được cho là đã dành 50-60% năng lực sản xuất wafer 4nm tại nhà máy Pyeongtaek cho base die của HBM4, tương đương khoảng 15.000 tấm mỗi tháng trong tổng công suất 30.000 tấm.

Theo DigiTimes đưa tin, Samsung Electronics phân bổ hơn một nửa lượng wafer 4nm sản xuất trên hai dây chuyền S5 và S6 tại các line 2 và 3 của Pyeongtaek cho base die HBM4.

Base die HBM4 là chip logic nằm ở lớp dưới cùng trong cấu trúc HBM, nơi xếp chồng nhiều chip nhớ lên nhau. Chip này đảm nhận việc điều khiển bộ nhớ và kết nối giữa bộ nhớ với chip xử lý bên ngoài.

Điểm khác biệt của HBM4 so với các thế hệ trước là base die được sản xuất bằng công nghệ foundry logic thay vì quy trình sản xuất bộ nhớ thông thường. Vì vậy, nhu cầu HBM4 tăng lên không chỉ ảnh hưởng đến dây chuyền sản xuất bộ nhớ mà còn tác động đến việc phân bổ năng lực của các quy trình foundry tiên tiến.

Samsung Electronics đã chính thức xác nhận sử dụng base die logic 4nm cho HBM4. Công ty cho biết HBM4 được xây dựng dựa trên công nghệ DRAM 1c và quy trình logic 4nm, hướng đến các trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo thế hệ mới.

Việc phân bổ năng lực lần này được xem là cách Samsung Electronics kết hợp năng lực bộ nhớ và foundry trong cùng một công ty để mở rộng nguồn cung HBM4. Khi việc thiết kế và sản xuất base die được thực hiện ngay tại foundry nội bộ, công ty có thể liên kết chặt chẽ giữa phát triển sản phẩm bộ nhớ và chip logic.

Tuy nhiên, đối với các khách hàng foundry bên ngoài, năng lực sản xuất khả dụng trên cùng quy trình 4nm có thể bị thu hẹp. Nếu hơn một nửa công suất được dành cho một dòng sản phẩm duy nhất, điều này có khả năng ảnh hưởng đến sản lượng và thời gian giao hàng của các công ty thiết kế chip khác cần đến quy trình 4nm.

Dù vậy, mức phân bổ thực tế cho từng khách hàng hay việc điều chỉnh đơn hàng vẫn chưa được công bố. Tỷ lệ phân bổ 50-60% được báo cáo cũng chưa rõ sẽ duy trì đến khi nào.

HBM4 là thế hệ bộ nhớ băng thông cao mới, được thiết kế để tăng băng thông phục vụ các chip tăng tốc trí tuệ nhân tạo. Khi khối lượng tính toán AI càng lớn, vai trò của base die trong việc truyền dữ liệu nhanh giữa chip xử lý và bộ nhớ càng trở nên quan trọng.

Samsung Electronics cho biết đã bắt đầu sản xuất hàng loạt và xuất xưởng sản phẩm HBM4 thương mại sử dụng base die 4nm. Khả năng cung cấp đồng thời cả chip nhớ và base die trong cùng một hệ sinh thái được xem là yếu tố tạo khác biệt của công ty.

TokenPost từng đưa tin rằng năng lực sản xuất 4nm tại foundry của Samsung Electronics đang được sử dụng nhanh chóng cho đến tận năm sau do nhu cầu từ base die HBM4 và các chip suy luận AI, cho thấy cấu trúc liên kết giữa nhu cầu HBM4 và năng lực foundry.

TrendForce cũng đưa tin xác nhận năng lực sản xuất 4nm hằng tháng tại cơ sở Pyeongtaek ở mức 30.000 tấm wafer. Đơn vị này phân tích rằng nếu hơn một nửa năng lực này được dành cho base die HBM4, lượng wafer khả dụng cho các khách hàng 4nm khác có thể bị hạn chế.

Diễn biến này cho thấy sự mở rộng của các trung tâm dữ liệu AI không chỉ tác động đến nhu cầu bộ nhớ mà còn ảnh hưởng đến cách phân bổ năng lực sản xuất tại các foundry logic tiên tiến. Tỷ lệ phân bổ 50-60% cho base die HBM4 trong tổng năng lực 4nm của Samsung Electronics, cũng như thời gian duy trì tỷ lệ này, vẫn cần được xác nhận thêm.