Tin tức 
Thông tin Coin 
Về chúng tôi 
Samsung được cho là đã công bố lộ trình nâng cấp công nghệ bộ nhớ băng thông cao (HBM) qua ba giai đoạn, hướng tới cấu trúc zHBM cho phép xếp chồng DRAM trực tiếp lên trên chip xử lý.
Theo Wallstreetcn (华尔街见闻) đưa tin mới đây, ông Han Sang-wook (Sangwook Han), kỹ sư thuộc nhóm thiết kế DRAM của Samsung(005930), đã trình bày kế hoạch phát triển HBM này tại hội nghị công nghệ Hot Chips. Theo bài báo, cấu trúc zHBM xếp DRAM theo chiều dọc ngay trên các chip xử lý như GPU hay TPU, qua đó loại bỏ lớp interposer 2.5D truyền thống vốn được dùng phổ biến hiện nay.
Wallstreetcn cũng dẫn lại giải thích từ phía Samsung rằng zHBM có thể giảm 70% mức tiêu thụ điện năng và tăng 230% băng thông DRAM so với chuẩn HBM4E hiện tại. Ngoài ra, cấu trúc này được cho là giúp tiết kiệm 100 watt (W) điện năng cho mỗi module DRAM, đồng thời tạo thêm 8,3% dư địa điện năng cho GPU.
Bình luận 0