Netlist kiện Micron(MU) vi phạm bằng sáng chế trên khoảng 20 mẫu DDR5

Netlist(NLST) đã kiện Micron Technology(MU) ra tòa án Mỹ, cáo buộc khoảng 20 mẫu mô-đun bộ nhớ DDR5 của hãng này vi phạm bằng sáng chế của mình. Cuộc chiến pháp lý xoay quanh công nghệ bộ nhớ cốt lõi tiếp tục diễn ra trong bối cảnh cạnh tranh giữa DDR5 và bộ nhớ băng thông cao (HBM) ngày càng gay gắt khi nhu cầu máy chủ AI tăng cao.

Theo hãng tin Yonhap Infomax đưa tin ngày 11 (giờ Hàn Quốc), Netlist đã nộp đơn kiện Micron và công ty con Micron Semiconductor Products tại Tòa án Liên bang Khu vực Trung tâm California, Mỹ. Netlist cáo buộc các sản phẩm DDR5 của Micron vi phạm hai bằng sáng chế Mỹ là bằng số 10,217,523 (gọi tắt là “bằng '523”) và bằng số 12,675,407 (“bằng '407”).

Đơn kiện nhắm đến khoảng 20 mẫu sản phẩm DDR5 của Micron. Netlist cho rằng những sản phẩm khác có cấu trúc về cơ bản tương tự cũng thuộc diện vi phạm.

Ngoài hành vi vi phạm trực tiếp, Netlist còn cáo buộc Micron phải chịu trách nhiệm vì đã dụ dỗ hoặc tiếp tay cho khách hàng và người dùng cuối vi phạm bằng sáng chế. Theo cáo buộc của Netlist, Micron đã cung cấp bảng thông số kỹ thuật và tài liệu công nghệ, qua đó khuyến khích việc sử dụng các sản phẩm này.

Bằng '523 liên quan đến công nghệ “mô-đun bộ nhớ đa chế độ có bộ xử lý dữ liệu”, cho phép phân tán xử lý dữ liệu. Bằng '407 đề cập công nghệ “mô-đun bộ nhớ có tín hiệu xung nhịp cục bộ”, liên quan đến thời điểm xử lý dữ liệu, và được cấp vào tháng 7 năm nay.

Netlist cho biết đã giới thiệu công nghệ liên quan đến bằng '523 cho Micron vào tháng 2 và tháng 4 năm 2015. Đơn kiện cũng nêu rằng Micron biết đến sự tồn tại của bằng sáng chế này chậm nhất là ngày 28/4/2021, thông qua một bức thư mà Netlist gửi cho hãng.

Về bằng '407, Netlist cho rằng Micron có thể đã biết về đơn đăng ký liên quan trước khi vụ kiện này được khởi xướng. Đây là lập luận từ phía nguyên đơn Netlist đưa ra trong vụ kiện, chưa phải là phán quyết đã được tòa án xác nhận.

DDR5 là chuẩn bộ nhớ DRAM thế hệ mới, có tốc độ truyền dữ liệu và hiệu suất năng lượng cao hơn thế hệ trước. Loại bộ nhớ này được dùng trong PC, máy chủ và trung tâm dữ liệu, đồng thời trở thành dòng sản phẩm chủ lực của thị trường bộ nhớ hiệu năng cao khi hạ tầng AI mở rộng.

Vụ kiện lần này là diễn biến mới nhất trong chuỗi tranh chấp bằng sáng chế giữa Netlist và các hãng bộ nhớ lớn. Trong báo cáo quý 3 tài khóa 2026 nộp ngày 25/6, Micron cho biết Netlist đã khởi kiện nhiều vụ vi phạm bằng sáng chế tại tòa án Mỹ và Đức kể từ tháng 4/2021.

Theo tài liệu công bố của Micron, vào tháng 5/2024, bồi thẩm đoàn Tòa án Liên bang Khu vực Đông Texas, Mỹ đã tuyên mô-đun bộ nhớ của Micron vi phạm một số bằng sáng chế của Netlist, buộc hãng bồi thường tổng cộng 445 triệu USD. Đây là vụ việc tách biệt với vụ kiện lần này.

Netlist cũng từng có tranh chấp bằng sáng chế với Samsung Electronics. Trong vụ kiện nhằm vào Samsung Electronics vào tháng 4/2023, bồi thẩm đoàn tuyên mức bồi thường 303,15 triệu USD; trong một vụ kiện khác nhằm vào Samsung Electronics vào tháng 11/2024, mức bồi thường được tuyên là 118 triệu USD.

Sau đó, Samsung Electronics và Netlist đã chấm dứt tranh chấp bằng sáng chế và rút các vụ kiện liên quan. Samsung Electronics đồng ý trả trước cho Netlist 239 triệu USD tiền phí bản quyền.

Vụ việc cũng có điểm liên quan đến ngành công nghiệp bộ nhớ Hàn Quốc. Samsung Electronics, SK Hynix và Micron hiện chiếm hơn 90% thị trường DRAM toàn cầu, nên nguồn cung DDR5 và các tranh chấp sở hữu trí tuệ có liên hệ mật thiết với chiến lược sản phẩm và cơ cấu chi phí bản quyền của các nhà sản xuất lớn.

Các hãng bộ nhớ đang mở rộng cung cấp sản phẩm giá trị cao dùng cho máy chủ AI. Micron gần đây cũng công bố xuất xưởng hàng loạt HBM4 và doanh thu tăng trưởng. Đây là bối cảnh khiến tranh chấp bằng sáng chế DDR5 gắn liền với cuộc đua bộ nhớ AI.

Hiện vụ kiện mới đang ở giai đoạn Netlist đưa ra cáo buộc vi phạm bằng sáng chế. Việc có vi phạm hay không và trách nhiệm bồi thường sẽ do tòa án quyết định sau khi Micron phản hồi và các bên cung cấp chứng cứ trong các thủ tục tố tụng tiếp theo.