Micron($MU) đã trình diễn mô-đun bộ nhớ DDR5 RDIMM 512GB dành cho máy chủ. Mô-đun đạt tốc độ truyền dữ liệu tối đa 9200 MT/s, trong khi máy chủ hai socket lắp 24 mô-đun có thể đạt tổng dung lượng DDR5 lên tới 12TB.
Micron cho biết ngày 15 rằng hãng đã trình diễn mô-đun này trên nhiều nền tảng máy chủ thế hệ mới. AMD($AMD) và Intel($INTC) đang tiến hành xác minh để ứng dụng mô-đun trên các nền tảng máy chủ thế hệ mới. Trước đó, Micron đã công bố cột mốc phát triển mô-đun DDR5 512GB và kế hoạch sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2027.
RDIMM là mô-đun bộ nhớ dạng đăng ký dành cho máy chủ. Do dung lượng và độ ổn định quan trọng hơn bộ nhớ dùng cho PC thông thường, RDIMM chủ yếu được sử dụng trong trung tâm dữ liệu và môi trường điện toán hiệu năng cao.
Dung lượng 512GB được hiện thực hóa nhờ công nghệ đóng gói xếp chồng chip DRAM theo chiều dọc và kết nối bằng điện cực xuyên silicon (TSV). Phương pháp này cho phép đưa nhiều bộ nhớ hơn vào một khe cắm mà không làm thay đổi đáng kể kích thước vật lý của mô-đun.
Micron cũng nhấn mạnh hiệu quả sử dụng điện. Công suất tiêu thụ định mức của một mô-đun 512GB là 16W. Nếu cấu hình cùng dung lượng 512GB bằng bốn mô-đun 128GB, mức tiêu thụ điện sẽ tăng lên 44,2W. Micron cho biết cấu hình một mô-đun 512GB có thể giảm hơn 60% điện năng tiêu thụ so với bốn mô-đun 128GB.
Các số liệu hiệu năng được đưa ra dựa trên những tác vụ phân tích cần nhiều bộ nhớ. Micron cho biết cấu hình DDR5 512GB có thể đạt hiệu năng cao hơn tối đa 1,4 lần so với cấu hình DDR5 256GB trong môi trường phân tích Spark SVM. Hãng nói thêm rằng thông lượng và khả năng xử lý đồng thời cũng có thể được cải thiện trên các nền tảng cơ sở dữ liệu và bộ nhớ đệm tập trung vào bộ nhớ như RocksDB và Redis.
Bộ nhớ dung lượng lớn được sử dụng để lưu giữ lâu hơn các mô hình trí tuệ nhân tạo (AI) và bộ dữ liệu phân tích trong bộ nhớ chính, vốn có tốc độ nhanh hơn thiết bị lưu trữ. Hiệu năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình máy chủ và quy mô dữ liệu xử lý.
Đầu năm nay, Micron cũng đã cung cấp mẫu DDR5 RDIMM 256GB. Sản phẩm này sử dụng DRAM 1-gamma và công nghệ xếp chồng 3D, đồng thời đạt tốc độ truyền dữ liệu tối đa 9200 MT/s. Mô-đun 512GB mới đã tăng gấp đôi dung lượng trên mỗi mô-đun trong cùng dải tốc độ.
Micron chưa công bố giá bán. Hãng dự kiến sản xuất hàng loạt DDR5 RDIMM 512GB vào nửa cuối năm 2027, tùy theo nhu cầu của khách hàng.
Bình luận 0