Tốc độ HBM5 dự kiến tăng hơn 50%, Samsung Electronics chuyển đổi dây chuyền NRD-K2

Samsung Electronics(005930) được cho là sẽ chuyển đổi và mở rộng dây chuyền NRD-K2 sang sản xuất bộ nhớ băng thông rộng tùy biến (cHBM) và đế nền (base die) cho HBM5, nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với bộ nhớ băng thông rộng (HBM).

Theo Blockbeats đưa tin ngày 14 (giờ địa phương), Samsung Electronics có kế hoạch chuyển hướng dây chuyền NRD-K2 sang các hạng mục sản xuất liên quan đến HBM thế hệ mới, qua đó tăng sản lượng đế nền dùng cho cHBM và HBM5.

Trong cuộc phỏng vấn với Semiconductor Newsroom của Samsung Electronics ngày 27 tháng 7, ông Koo Ja-heum, Phó chủ tịch kiêm Trưởng bộ phận Phát triển công nghệ thuộc mảng kinh doanh Foundry của Samsung Electronics, cho biết: “Đế nền của HBM5 sẽ áp dụng công nghệ tiến trình 2nm sử dụng cấu trúc GAA (Gate-All-Around) và hiện thực hóa cấu trúc xuyên lỗ silicon (TSV) với mật độ tích hợp cao hơn.” Ông giải thích rằng, theo dự kiến của công ty, tốc độ hoạt động của HBM5 sẽ cải thiện hơn 50% so với HBM4E.

Đế nền là loại chất bán dẫn logic có vai trò kết nối các lớp DRAM xếp chồng với những bộ xử lý bên ngoài như GPU hoặc CPU. Tác động thực tế của kế hoạch chuyển đổi và mở rộng dây chuyền lần này đối với sản lượng cũng như lịch trình cung cấp cho khách hàng hiện vẫn cần được xác nhận thêm.