HBM4 Samsung vượt 1 tỷ USD doanh thu chỉ sau 4 tháng

Doanh thu chip nhớ băng thông rộng thế hệ mới HBM4 của Samsung Electronics (005930) được cho là đã vượt mốc 1 tỷ USD (khoảng 15.400 tỷ won) chỉ khoảng 4 tháng sau khi bắt đầu xuất xưởng sản phẩm thương mại. Cuộc đua mở rộng băng thông bộ nhớ cho trung tâm dữ liệu AI đang dịch chuyển sang thế hệ HBM4 khi khối lượng tính toán của các mô hình AI ngày càng lớn.

Hãng thông tấn Yonhap dẫn nguồn tin trong ngành đưa tin ngày 23 tháng 6 rằng doanh thu HBM4 của Samsung Electronics đã vượt 1 tỷ USD. Theo dự báo trong cùng bài viết, doanh thu tính đến cuối tháng 6 có thể vượt 1,2 tỷ USD (khoảng 18.500 tỷ won), nhưng con số này chưa được Samsung Electronics công bố chính thức qua báo cáo tài chính hay công bố thông tin.

Samsung Electronics bắt đầu sản xuất hàng loạt và xuất xưởng thương mại HBM4 từ ngày 12 tháng 2. Nếu tính theo thời điểm doanh thu được báo cáo vượt 1 tỷ USD, quá trình từ khi xuất xưởng sản phẩm đến khi doanh thu mở rộng đã mất khoảng 4 tháng.

HBM4 cung cấp tốc độ xử lý ổn định 11,7Gbps và được thiết kế để có thể nâng hiệu năng lên tối đa 13Gbps. Băng thông bộ nhớ tối đa của một stack đơn đạt 3,3TB/s.

HBM là loại bộ nhớ xếp chồng nhiều lớp DRAM theo chiều dọc, đặt cạnh các chip tăng tốc AI. So với DRAM thông thường, HBM có quãng đường di chuyển dữ liệu ngắn hơn và băng thông lớn hơn, giúp giảm nghẽn cổ chai cho GPU, ASIC và bộ xử lý máy chủ dùng trong huấn luyện và suy luận các mô hình AI quy mô lớn.

Samsung Electronics áp dụng công nghệ DRAM tiến trình 10nm thế hệ thứ 6 và đế logic (base die) tiến trình 4nm cho HBM4. Đây là cấu trúc nâng hiệu năng của đế logic - bộ phận trao đổi dữ liệu với thiết bị tính toán - để tăng tốc độ xử lý và băng thông.

Samsung Electronics và AMD (AMD) đã ký biên bản ghi nhớ (MOU) vào ngày 18 tháng 3 để hợp tác phát triển bộ nhớ AI thế hệ mới. Phạm vi hợp tác bao gồm GPU AMD Instinct MI455X, CPU AMD EPYC thế hệ thứ 6 tên mã "Venice" và nền tảng AMD Helios.

Khối lượng cung cấp cho Nvidia (NVDA) cũng như điều khoản hợp đồng chi tiết chưa được xác nhận qua tài liệu chính thức. Thông tin về doanh thu HBM4 và các hợp đồng cung cấp theo từng khách hàng cần được xem xét tách biệt.

Samsung Electronics bắt đầu xuất mẫu HBM4E 12 lớp cho các khách hàng toàn cầu lớn từ ngày 29 tháng 5. Sau khi xuất xưởng thương mại HBM4, hãng tiếp tục triển khai quy trình kiểm định sản phẩm thế hệ tiếp theo với khách hàng.

HBM4E cung cấp tốc độ xử lý ổn định 14Gbps và có thể nâng lên tối đa 16Gbps. Băng thông tối đa của một stack đơn là 3,6TB/s, dung lượng sản phẩm 12 lớp đạt 48GB.

TrendForce, trong bản cập nhật tin tức ngành bán dẫn ngày 23 tháng 6, phân tích rằng kỳ vọng về sản lượng xuất xưởng HBM4 của Samsung Electronics đã được nâng lên, dựa trên đế logic FinFET tiến trình 4nm và tiến độ chứng nhận nhanh. Cùng trong bài viết này, TrendForce nhận định SK Hynix (000660) đang điều chỉnh tốc độ mở rộng HBM4 và đặt trọng tâm nhiều hơn vào lợi nhuận từ DRAM thông dụng.

Vấn đề này liên quan trực tiếp đến chuỗi cung ứng bộ nhớ cho trung tâm dữ liệu AI hơn là thiết bị đào tiền mã hóa hay mạng lưới blockchain. Trong bối cảnh áp lực hạ tầng AI đang lan từ hiệu năng tính toán sang dung lượng bộ nhớ, băng thông và cấu trúc di chuyển dữ liệu, thông tin về doanh thu HBM4 cho thấy tốc độ thương mại hóa sản phẩm của Samsung Electronics.

Samsung Electronics có kế hoạch mở rộng dòng sản phẩm HBM4E lên phiên bản 8 lớp 32GB và 16 lớp 64GB tùy theo nhu cầu khách hàng. Cùng với sản phẩm 12 lớp 48GB đang xuất xưởng hiện tại, hãng dự kiến sẽ mở rộng dòng sản phẩm sau khi hoàn tất quy trình kiểm định với khách hàng.