HBF 512GB, 3,0TB/s: SK hynix và Sandisk công bố chuẩn đầu tiên

SK hynix(SK하이닉스) và Sandisk(Sandisk) đã công bố chuẩn đầu tiên của bộ nhớ flash băng thông cao(HBF, High Bandwidth Flash) nhằm xử lý bài toán dung lượng bộ nhớ và băng thông trong hạ tầng suy luận trí tuệ nhân tạo(AI). Chuẩn này hỗ trợ dung lượng tối đa 512GB và băng thông khoảng 0,4-3,0TB/s.

SK hynix cho biết ngày 4 rằng hãng đã cùng Sandisk công bố chuẩn HBF đầu tiên thông qua Open Compute Project(OCP). Thông báo được đưa ra trước thềm Future of Memory and Storage 2026(FMS 2026), sự kiện diễn ra từ ngày 5 đến 7 theo giờ Hàn Quốc tại Trung tâm Hội nghị Santa Clara, bang California, Mỹ.

HBF là một tầng bộ nhớ mới nằm giữa bộ nhớ băng thông cao(HBM), vốn phục vụ truyền dữ liệu tốc độ rất cao, và ổ lưu trữ thể rắn(SSD), vốn nhấn mạnh dung lượng lớn. Công nghệ này hướng tới tốc độ truyền dữ liệu ở cấp độ HBM, đồng thời dùng cấu trúc dựa trên NAND để mở rộng dung lượng.

Chuẩn lần này là kết quả đầu tiên sau khoảng 6 tháng kể từ khi hai công ty thành lập liên minh HBF vào tháng 2 năm 2026, sau thỏa thuận hợp tác tiêu chuẩn hóa hồi tháng 8 năm 2025. Sandisk thông báo trong thông cáo ngày 6 tháng 8 năm 2025 rằng hãng đã ký biên bản ghi nhớ với SK hynix để xây dựng đặc tả công nghệ HBF.

Đặc tả xác định dung lượng tối đa 512GB dựa trên hai cấu hình xếp chồng die NAND gồm 8 tầng và 16 tầng. Băng thông được chia thành ba cấp, từ khoảng 0,4TB/s đến 3,0TB/s. Chuẩn giao tiếp chiplet mở UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express) được chọn làm phương thức kết nối HBF với bộ xử lý đồ họa(GPU) và bộ xử lý trung tâm(CPU).

Chuẩn này cũng bao gồm giao diện kết nối, đặc tính điện, hướng dẫn độ tin cậy và đóng gói cho quy trình xếp chồng die HBF, cùng chỉ dẫn sử dụng phần mềm cho nhập xuất dữ liệu. SK hynix cho biết việc công bố thông qua OCP tạo nền tảng để HBF phát triển thành một chuẩn mở mà nhiều doanh nghiệp có thể sử dụng.

Liên minh HBF hiện có sự tham gia của Google và Tenstorrent. Lịch FMS 2026 ghi nhận phiên trình bày Why, What, How HBF? của Junghyun Joh(정현 조), technical leader của SK hynix, vào ngày 5 theo giờ Hàn Quốc. Phần giới thiệu phiên cho biết HBM có lợi thế trong xử lý dữ liệu tốc độ rất cao, nhưng giới hạn dung lượng có thể trở thành nút thắt trong hạ tầng AI quy mô lớn.

Ngày 7 theo giờ Hàn Quốc, Im Ui-cheol(임의철), research fellow của SK hynix, Rajeev Nagabhirava(Rajeev Nagabhirava), phó chủ tịch Sandisk, và Xiaoyu Ma(Xiaoyu Ma), senior staff engineer của Google DeepMind, sẽ tham gia thảo luận với chủ đề Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash. FMS mô tả HBF là một thay đổi mang tính cấu trúc, kết nối HBM dạng bộ nhớ bay hơi với lưu trữ NAND truyền thống.

SK hynix cũng sẽ lần đầu giới thiệu wafer và sản phẩm NAND 4D thế hệ 10(V10) 375 lớp tại gian hàng FMS 2026. Công ty cho biết NAND 4D 375 lớp cải thiện hiệu năng trên mỗi đơn vị điện năng gấp 2,5 lần so với thế hệ trước, đồng thời dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt SSD doanh nghiệp(eSSD) hiệu năng cao, dung lượng lớn dựa trên công nghệ này vào đầu năm 2027.

Kim Chun-sung(Kim Chun-sung), Giám đốc bộ phận phát triển giải pháp của SK hynix, nói: “Khi việc ứng dụng AI lan rộng nhanh chóng, đã đến lúc cần thiết kế lại toàn bộ cấu trúc xử lý dữ liệu. Thông qua HBF, chúng tôi sẽ góp phần mở rộng ranh giới giữa bộ nhớ và lưu trữ, đồng thời hiện thực hóa một kiến trúc mới giúp nâng hiệu quả của toàn hệ thống”. Phát biểu này cho thấy SK hynix muốn mở rộng HBF thành một cấu trúc bộ nhớ phân tầng cho hạ tầng AI, thay vì chỉ coi đây là một sản phẩm riêng lẻ.

Sandisk cho biết trong thông cáo báo chí ngày 6 tháng 8 năm 2025, tại thời điểm đó, hãng dự kiến cung cấp mẫu HBF đầu tiên trong nửa cuối năm 2026 và có thể giới thiệu mẫu thiết bị suy luận AI đầu tiên ứng dụng HBF vào đầu năm 2027.