57 tỷ USD đầu tư thiết bị bộ nhớ năm 2027, SEMI dự báo

Đầu tư thiết bị nhà máy 300 mm trong mảng bộ nhớ được dự báo đạt 57 tỷ USD (khoảng 82 nghìn tỷ won) vào năm 2027, khi nhu cầu bộ nhớ băng thông cao(HBM) cho trung tâm dữ liệu AI và DRAM máy chủ tiếp tục tăng. Do việc mở rộng cơ sở sản xuất thường mất nhiều năm, đà tăng nhu cầu đang chuyển thành kế hoạch tăng vốn đầu tư thiết bị.

SEMI cho biết trong báo cáo “300mm Fab Outlook” công bố ngày 29 tháng 6 rằng đầu tư thiết bị bộ nhớ có thể vượt 52 tỷ USD (khoảng 75 nghìn tỷ won) vào năm 2026, sau đó tăng lên 57 tỷ USD vào năm 2027. Tổ chức này phân tích HBM, DDR5 và nhu cầu lưu trữ dữ liệu sẽ thúc đẩy đầu tư thiết bị nhờ mở rộng hạ tầng AI và trung tâm dữ liệu.

Việc mở rộng sản xuất HBM cũng có thể ảnh hưởng đến nguồn cung DRAM thông thường. HBM cần nhiều công suất wafer hơn DRAM phổ thông, nên có thể làm giảm lượng DRAM đa dụng được sản xuất trên cùng hệ thống thiết bị. TokenPost trước đó đã ghi nhận xu hướng mở rộng sản xuất HBM gây áp lực lên nguồn cung DRAM máy chủ hiện hữu.

Choi Tae-won(Chey Tae-won), Chủ tịch Tập đoàn SK(SK Group), nói tại cuộc họp báo Computex 2026 ngày 2 tháng 6: “Tôi vẫn giữ nguyên dự báo trước đây rằng tình trạng thiếu bộ nhớ sẽ kéo dài đến năm 2030”. Ông Choi giải thích việc xây một fab mới cần ít nhất 3 năm, còn nếu bắt đầu từ một khu đất hoàn toàn mới thì có thể cần hơn 5 năm. Điều này cho thấy nguồn cung khó bắt kịp nhu cầu trong ngắn hạn, ngay cả khi đơn hàng tăng.

Kwak Noh-jung(Kwak Noh-jung), Tổng giám đốc SK hynix, nói trong cuộc phỏng vấn với Reuters ngày 10 tháng 7 rằng năm 2027 có thể là năm khó khăn nhất trong lịch sử ngành xét từ phía nguồn cung. Ông cũng đưa ra nhận định rằng nhu cầu của khách hàng có thể vượt năng lực cung ứng của công ty ngay cả sau năm 2030.

SemiAnalysis phân tích tỷ trọng bộ nhớ trong chi tiêu trung tâm dữ liệu AI của các hyperscaler có thể tăng từ khoảng 8% trong giai đoạn 2023~2024 lên khoảng 30% vào năm 2026. Hãng này cho rằng HBM chiếm nhiều công suất wafer hơn DRAM thông thường, qua đó có thể tiếp tục tạo áp lực lên nguồn cung DRAM đa dụng.

Ở chiều ngược lại, khả năng mở rộng nguồn cung trong dài hạn cũng được nhắc đến như một yếu tố có thể gây sức ép lên giá. MarketWatch đưa tin kế hoạch xây dựng nhà máy thứ hai tại Bắc Kinh của ChangXin Memory Technologies(CXMT) của Trung Quốc đã trở thành một yếu tố tác động đến biến động cổ phiếu Micron($MU). William Kerwin(William Kerwin), nhà phân tích của Morningstar, nhận định việc các nhà sản xuất bộ nhớ lớn và CXMT mở rộng sản xuất có thể gây áp lực lên giá DRAM vào năm 2028.

Biến động giá bộ nhớ có thể ảnh hưởng đến cấu trúc chi tiêu vốn của các nhà cung cấp dịch vụ đám mây và doanh nghiệp máy chủ AI. Tuy nhiên, các tài liệu công khai chưa xác nhận dấu hiệu liên hệ trực tiếp giữa thay đổi trong nguồn cung bộ nhớ với hoạt động mua sắm bộ nhớ của doanh nghiệp khai thác Bitcoin(BTC) hoặc hạ tầng blockchain.