Báo cáo: AMD và Nvidia đặt toàn bộ công suất đế HBM tại nhà máy Taylor 2 của Samsung Electronics (005930)

Samsung Electronics (005930) dự kiến sản xuất đế logic cho bộ nhớ băng thông cao (HBM) tại nhà máy Taylor 2 ở Texas, Mỹ để cung cấp cho AMD (AMD) và Nvidia (NVDA), theo một bản tin mới.

Maeil Business Newspaper đưa tin lúc 17:46 ngày 3 tháng 11 năm 2026 (KST), dẫn lời một nguồn tin trong ngành không nêu tên. Bản tin cho biết toàn bộ công suất của Taylor 2 đã được đặt để sản xuất đế HBM cho AMD và Nvidia, trong đó phần lớn dành cho AMD. Bản tin không nêu lượng hàng phân bổ cho từng khách hàng hay quy mô hợp đồng.

Bản tin cũng cho biết Taylor 2 sẽ áp dụng quy trình 2nm, có diện tích 2,7 triệu feet vuông (khoảng 250.000 m², tương đương khoảng 1,5 lần nhà máy số 1) và dự kiến bắt đầu đưa thiết bị vào từ tháng 2 năm 2029.

Đại diện Samsung Electronics trả lời câu hỏi về khách hàng: “Chúng tôi khó có thể xác nhận thông tin liên quan đến khách hàng.”

Trong kết quả kinh doanh quý III công bố ngày 29 tháng 10, Samsung Electronics cho biết doanh thu đế HBM tăng trưởng và doanh số quy trình tiên tiến mở rộng đã góp phần cải thiện kết quả kinh doanh mảng đúc chip.

Samsung Electronics cũng đề cập các đơn hàng chip điện toán hiệu năng cao (HPC) 2nm, trong đó có khách hàng là các nhà vận hành trung tâm dữ liệu quy mô lớn. Công ty không nêu tên khách hàng hoặc xác nhận các đơn hàng này có liên quan đến sản lượng của Taylor 2 hay không.

Đế HBM là die logic nằm trong chồng HBM.

Samsung Electronics đã công bố sản xuất hàng loạt HBM4 vào tháng 2, sử dụng đế logic 4nm. Công nghệ này áp dụng cho HBM4 hiện tại; thông tin đó không xác nhận bản tin về việc Taylor 2 sẽ dùng quy trình 2nm.

Nếu thông tin trong bản tin chính xác, Samsung Electronics sẽ kết hợp các đế logic sản xuất tại Mỹ với DRAM sản xuất tại Hàn Quốc để hoàn thiện HBM và cung cấp cho khách hàng.

Vì vậy, bản tin không có nghĩa là Samsung Electronics sẽ sản xuất các bộ xử lý hoàn chỉnh của AMD hoặc Nvidia tại Taylor 2. Sản phẩm được đề cập là đế logic, một thành phần của HBM.

Samsung Electronics và AMD ký biên bản ghi nhớ (MOU) về hợp tác công nghệ bộ nhớ AI và điện toán thế hệ mới vào tháng 3. Nội dung hợp tác bao gồm cung cấp HBM4 cho bộ tăng tốc AMD Instinct MI455X. Hai bên cũng nhất trí thảo luận việc sử dụng dịch vụ đúc chip của Samsung Electronics cho các sản phẩm AMD thế hệ tiếp theo.

MOU này không phải là thông báo xác nhận đơn hàng tại Taylor 2.

Bản tin chưa làm rõ sản phẩm cụ thể được phân bổ cho Nvidia hoặc tính chất đơn hàng. Bản tin cho biết Samsung Electronics đang xem xét sản xuất đế cho NVHBM, dòng HBM tùy chỉnh thế hệ mới, bằng quy trình riêng; đồng thời, Nvidia được cho là đã yêu cầu các nhà sản xuất bộ nhớ sản xuất loại đế này tại TSMC (TSM).

Trước đó, TokenPost đã đưa tin về thông tin đế HBM tùy chỉnh cho Nvidia sẽ được sản xuất bằng quy trình 3nm của TSMC. Bản tin lần này đồng thời đề cập sản lượng tại Taylor 2 và việc Samsung Electronics xem xét dùng quy trình riêng.

Trong cuộc họp công bố kết quả kinh doanh quý II, Samsung Electronics từng cho biết kế hoạch khởi công nhà máy Taylor 2 trong năm nay. Công ty đặt mục tiêu bắt đầu sản xuất hàng loạt vào năm 2030.