Micron đặt mục tiêu tăng sản lượng DRAM 1δ và NAND G11 trong nửa cuối năm 2027

Micron Technology($MU) đặt mục tiêu tăng sản lượng quy trình DRAM thế hệ mới 1δ và NAND G11 với hơn 400 lớp trong nửa cuối năm 2027. Công ty cũng đang phát triển HBM cấu trúc dọc và DRAM 3D.

Scott DeBoer, Chủ tịch kiêm Giám đốc Công nghệ và Sản phẩm của Micron, phát biểu tại hội thảo trực tuyến về công nghệ ngày 21: “Bộ nhớ là trung tâm của AI và hiện là yếu tố hạn chế hiệu năng cũng như năng lực của các hệ thống”. Tại sự kiện, Micron công bố lộ trình công nghệ DRAM, HBM và NAND.

1δ là quy trình DRAM thế hệ kế tiếp sau 1γ, hiện đang được sản xuất hàng loạt. DeBoer cho biết mật độ bit của 1δ dự kiến cải thiện khoảng giữa 20% so với thế hệ trước. Điều này giúp lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trên cùng diện tích. Micron đang thiết kế quy trình này cho các sản phẩm phục vụ AI như HBM5 và HBM cấu trúc dọc.

NAND G11, sản phẩm thế hệ tiếp theo, hướng tới mật độ bit gấp đôi và tốc độ vào ra nhanh gấp 1,5 lần G9. Công ty dự định áp dụng công nghệ liên kết hai tấm wafer và nâng số lớp lên hơn 400. Micron cho biết sẽ công bố thông số chi tiết khi thời điểm ra mắt đến gần.

Định hướng phát triển HBM bao gồm sản phẩm tiêu chuẩn, sản phẩm tùy chỉnh theo khách hàng và cấu trúc dọc. HBM cấu trúc dọc đặt bộ nhớ trực tiếp phía trên bộ xử lý. DeBoer cho biết mật độ kết nối và quản lý nhiệt là những thách thức kỹ thuật. Micron chưa đưa ra thời điểm thương mại hóa hay số liệu hiệu năng chính thức.

Về cấu trúc DRAM, Micron sẽ tiếp tục thu nhỏ quy trình dựa trên nền tảng 6F² hiện tại, đồng thời phát triển DRAM 3D. DeBoer cho biết thời điểm đưa DRAM 3D vào sử dụng sẽ được quyết định dựa trên chi phí, độ phức tạp trong sản xuất và hiệu năng.

Thông báo cho thấy kế hoạch công nghệ của Micron nhằm cải thiện đồng thời mật độ tích hợp, tốc độ truyền dữ liệu và cấu trúc bố trí bộ nhớ cho AI. Samsung Electronics và SK Hynix cũng từng công bố công nghệ bộ nhớ AI và NAND xếp chồng nhiều lớp, trong bối cảnh cạnh tranh phát triển trong ngành tiếp tục diễn ra. TokenPost trước đó đã đưa tin Samsung Electronics công bố NAND liên kết có hơn 400 lớp và ý tưởng đặt bộ nhớ phía trên bộ xử lý. Micron dự kiến công bố thông số chi tiết của G11 khi gần đến thời điểm ra mắt vào năm 2027.