Groq cân nhắc dùng DRAM xếp chồng 3D thay SRAM trên chip thế hệ mới

Groq đang xem xét áp dụng công nghệ đóng gói DRAM xếp chồng ba chiều (3D) cho chip thế hệ mới, thay SRAM đang được sử dụng hiện nay bằng DRAM.

ZDNet Korea đưa tin Groq đang nghiên cứu đóng gói DRAM 3D như một phương án. Giới công nghiệp nhận định đây có thể là nỗ lực tăng đáng kể dung lượng chip, thay cho thiết kế chủ yếu dựa vào SRAM. Groq chưa trực tiếp công bố thông tin này.

SRAM và DRAM đều là bộ nhớ bán dẫn nhưng có đặc tính khác nhau. SRAM có tốc độ cao nhưng dung lượng bị hạn chế. DRAM tương đối chậm hơn, song phù hợp để chế tạo chip dung lượng lớn. Đây là lựa chọn chuyển trọng tâm từ thiết kế ưu tiên tốc độ sang thiết kế tăng dung lượng.

Đóng gói 3D là công nghệ xếp chồng nhiều chip bán dẫn theo chiều dọc để tạo thành một chip, thay vì bố trí chúng trên cùng một mặt phẳng. ZDNet Korea cho biết phương pháp này có thể giảm diện tích bề mặt chip và cải thiện hiệu quả năng lượng so với đóng gói 2D truyền thống.

Các công ty khác cũng đang chuẩn bị phát triển DRAM 3D. Tại Diễn đàn Tương lai diễn ra ngày 8 vừa qua, SK hynix nêu vấn đề tản nhiệt, kết nối siêu nhỏ và tích hợp quy trình là những thách thức trong việc thương mại hóa DRAM 3D. Kim Kyunghoon (Kyunghoon Kim), Phó chủ tịch SK hynix, cho biết: “Để đưa DRAM xếp chồng 3D vào sản phẩm thực tế, cần giải quyết những thách thức kỹ thuật khác trước đây, như tản nhiệt và độ phức tạp của quy trình, bên cạnh việc tối ưu hóa thiết kế”. SK hynix cũng chưa công bố thời điểm sản xuất hàng loạt cụ thể hay thông số sản phẩm DRAM 3D.